RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.0
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1393
2846
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link