RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
46
Autour de -119% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
21
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
3490
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB Comparaison des RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link