RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
46
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
19
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
3066
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link