RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
47
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
47
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2640
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link