RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2682
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link