RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
3060
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link