RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
3700
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link