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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
4069
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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