RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
46
Autour de -130% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
20
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
3410
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link