RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
78
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
78
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2113
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link