RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
3617
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link