RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
1875
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link