RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
77
Autour de 40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
77
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
1809
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link