RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
2573
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link