RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
35
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
2963
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link