RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
47
Autour de 53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
47
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
2486
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link