RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparez
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Note globale
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.4
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2489
3254
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link