RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
53
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
53
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2386
2333
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link