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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
54
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2313
2124
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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