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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
40
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2204
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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