RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
69
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
69
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
1602
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link