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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3170
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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