RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3327
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link