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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3260
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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