RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
41
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
41
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2238
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link