RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
44
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2374
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link