RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2767
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link