RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
55
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
55
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2701
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link