RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2922
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link