RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
32
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.9
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3100
2952
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link