RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
2814
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link