RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
3568
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link