RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
2841
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link