SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Note globale
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Note globale
star star star star star
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    36 left arrow 44
    Autour de 18% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15 left arrow 8.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.1 left arrow 5.6
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    36 left arrow 44
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.0 left arrow 8.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.1 left arrow 5.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2657 left arrow 1660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons