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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
44
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
1660
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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