RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparez
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2900
2419
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link