RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Comparez
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Note globale
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
22.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,042.4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
61
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,448.3
22.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,042.4
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
860
3873
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link