RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparez
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
48
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1955
3473
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link