RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Comparez
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
Note globale
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Note globale
Super Talent F21UB8GS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Super Talent F21UB8GS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
48
Autour de -118% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.0
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1955
2200
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link