RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Comparez
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Note globale
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2182
3482
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link