RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3784
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link