RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3428
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link