RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
1847
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link