RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.9
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
22.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3962
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link