RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
71
Autour de 42% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
71
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
1799
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link