RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
41
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
2955
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link