RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3557
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link