RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
71
Autour de 42% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
71
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
1757
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link