RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
83
Autour de 51% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
83
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
1752
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link