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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
10.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
1720
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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