RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
54
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
54
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
1904
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link